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来源:发bu时jian:2020-08-27 16:05:00点ji率:

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铝he金蔯hun碳觛ong中影xiang氧化膜硬度和氧化膜生长速度的因素
(1)电解液浓度的影xiang用H2SO;电解液进行硬质yang极氧化时,其H2S认浓度fanwei在10纬-30%zhijian.当浓度低时,获得的膜层硬度高,特别是chun铝更加明
显。但对yu含Cu量较高的he金cailiao例wai,因为含Cu量较高的he金中存在有CuA1:金shu化he物,在氧化guo程中rong解速度较快,易成为电流juji中心而被ji
chuan.所yi对含Cu量较高的he金cailiao,应cai用较高浓度的H2 S04电解液进行硬质氧化。
(2)电解液温度电解液温度对氧化膜层的硬度和nai磨xing有较da影xiang.襤ua憷唇玻露仍降停げ鉵ai磨xing增da.主yao是因为在低温情况下,电解液对膜的rong解zuo用明显减ruo,为了获得nai磨、硬度高的膜层,应cai用低温氧化,并控制温度bian化不可超guo士2℃为宜.如cai用chun铝来进行硬质yang极氧化,温度jie近0℃时其硬度fan而下降。所yi为了获得高硬度氧化膜层,对yu有包铝的gong件,在4-8℃的条件下进行硬质yang极氧化为宜.

(3)电流密度提高电流密度,氧化膜生长速度加快,氧化时jian缩短,膜层被H2SO‘rong解时jian减少,膜层rong解量减少,膜层硬度和nai磨xing提高.但当电流密度超guo极xian电流时,由yu氧化时发热量da增,使yang极gong件界面温度guo高,膜的rong解速度加快,膜的硬度fan而降低。如电流密度guo低,电压升高guoyu缓慢,虽然发热量减少,但yao获得较厚的氧化膜,氧化时jian必然加长,dao致膜层受H2SO;rong解的时jianyan长,所yi氧化膜硬度降低.关yu电流密度和氧化膜硬度、nai磨xing、氧化膜生长速度的关系bi较复杂,yao想得到理想的氧化膜层,yao根据不同的he金cailiao来选择he适的电流密度,通常取2 – 2. 5A/dm2
(4)he金成分的影xiang铝he金成分和杂质对硬质氧化膜的质量有较da影xiang。主yao表现在对膜层的均匀xing和完整xing的影xiang。对yuAl-Cu, Al-Si, Al-Mnhe金,cai用直流电硬质yang极氧化困难较da。当he金中Cu含量超guo5纬、Si含量超guo7.5%时,不适宜cai用直流硬质yang极氧化。如cai用jiao直流叠加huo脉冲电流法进行硬质yang极氧化,he金元素ji杂质含量fanwei可yi扩da。
(5)氧化膜层生长速度提高电流密度和降低电解液温度时,氧化膜层生长速度提高.电解液浓度低时,对膜层的rong解量减少,可促使氧化膜层的生长。yu获得致密、nai蚀xing强的氧化膜层,必须降低膜的生长速度.

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